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公众号：手机连接外国网络加速软件作者：萧发茂 2022-04-28 06:40

作者 | 萧发茂

来源 | 网游加速器（ID：EC-MKT）

ASDM4406S(代替)AOS万代AO4406,30V N沟道MOS管方案30V N 沟道 MOSFET代理商AO4406A 简述:AO4406A 采用先进的沟槽技术,提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。该器件适用于 SMPS 和通用应用中的高端开关。AO4406A 特点:制造商零件编号:AO4406A制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC...

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ˋ﹏ˊ 荣耀Magic V与OPPO Find N对比测试:不同折叠形态,侧重点不同谈到最近最热门抢手的折叠屏手机产品,我想应该就是在前段时间发布的荣耀Magic V 和 OPPO Find N 了。最近这两款产品也是在各大电商平台上火爆热销之中,加价抢购的状况屡出不穷。那么这它们又各有什么亮点,能让消费者们如此热衷?我们特意给它们来了一次外观设计及体验层面...

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荣耀Magic V、OPPO Find N、小米MIX FOLD,三款折叠屏到底怎么选?【科技犬】荣耀Magic V、OPPO Find N、小米MIX FOLD,三款折叠屏到底怎么选?荣耀正式发布了首款折叠屏手机荣耀Magic V,提供了两种内存版本可选,起售价9999元。荣耀Magic V采用了左右内折的方案,内部主屏是一块7.9英寸超大尺寸屏幕,支持90Hz刷新率,峰值最高亮度1000nit,支...

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ˋ＾ˊ〉-# AOS万代AON6590 40v n沟道MOSFET中文资料及电路原理图解说方案(在 VGS=10V 时) 100ARDS(ON) (VGS=10V) 0.99mΩRDS(ON) (VGS=4.5V) 1.5mΩ100% UIS 测试100% Rg 测试AOS万代AON6590 40v n沟道MOSFET中文资料及电路原理图General DescriptionTrench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for...

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∩０∩ ASDM4406S(代替)XP4406,30V N 沟道 MOSFET方案额定值(除非另有说明)转载:阅读我的更多文章:安森德ASDM4407S(替代)AOS万代AO4407封装SO8 P沟道mos管方案松木ME2306A/ME2306A-G (替代)AOS万代AO3400A 30V N 沟道mos管方案FP6606AC-PD协议芯片.快充协议芯片.18W20W45W65W快充方案-泰德兰电子

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OPPO Find N对比荣耀Magic V,谁会更加值得入手呢?2022年的手机行业,开始了向折叠屏手机的普及。2021年12月,OPPO给我们带来了首款折叠屏机型OPPO Find N,2022年,荣耀手机给我们带来了荣耀Magic V。那么,这两款机型,谁更加值得入手呢?笔者通过真实上手以后,不吹不黑地来分析一下。首先,在性能方面,OPPO Find N搭载了高...

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台湾松木ME3920-G双N沟道 30V(D-S) 笔记本电源管理MOS管方案!≦24mΩ@ VGS =10V● RDS(ON)≦46mΩ@VGS=4.5V● 超高密度电池设计,RDS(ON) 极低● 出色的导通电阻和最大直流电流能力ME3920-G应用● 笔记本电源管理● DC/DC 转换器● 负载开关● LCD 显示逆变器GENERAL DESCRIPTIONThe ME3920-G is the Dual N-Channel ...

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搭载2.0T+48V轻混系统,爆发出350N·m!2022款沃尔沃XC60方向盘采用真皮材质包裹,握感十分舒适。空调出风口的造型很是吸睛了,看起来非常时尚。动力方面,搭载的是2.0T涡轮增压发动机,并且匹配了48V轻混系统,最大功率184kW,峰值扭矩350N·m。传动方面,继续使用8AT变速箱。本文来源于汽车之家车家号作者,不代表汽车之家的观点立场...

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＋ω＋新增48V轻混系统,2.0T爆发350N·m!抢先体验2022款沃尔沃XC60并且匹配了48V轻混系统,最大功率184kW,峰值扭矩350N·m。传动方面,继续使用8AT变速箱。将这台车开起来后就能发现,48V轻混系统的加入对于提升行驶品质是有显著帮助的,尤其是改善了启停的平顺性与舒适性,同时也提升了一些燃油经济性。值得一提的是,新款沃尔沃XC60取消...

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≥＾≤ STH4618SP完美替代EFC4618R双N沟道功率MOS,20V6A最低包装数量:3000PCS每盘应用:锂离子电池充放电开关源极到源极电压:20V栅极到源极电压:±12V源极电流(直流电):6A源极电流(脉冲):60A总损耗:1.6W沟道温度:150℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R双N沟道功率MOS,24V6A,内阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC46...

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